Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.khnu.km.ua/jspui/handle/123456789/255

Можете відсканувати цей QR-код телефоном( програмою "Сканер QR-кодів" ) для збереження.

Title: Модель НВЧ польового транзистора з бар'єром Шоткі
Authors: Каштальян, А.С.
Макаришкін, Д.А.
Бабій, Ю.О.
Keywords: польовий транзистор;нейронна мережа;модель;нелінійність;похибка;field-effect transistor;a neural network model;nonlinearity;uncertainty
Issue Date: 2012
Publisher: Хмельницький національний університет
Citation: Каштальян, А. С. Модель НВЧ польового транзистора з бар'єром Шоткі [Текст] / А. С. Каштальян, Д. А. Макаришкін, Ю. О. Бабій // Вісник Хмельницького національного університету. Технічні науки. – 2012. – № 6. – С. 195-199.
Abstract: В роботі розглянуто переваги використання нейромережевого підходу для створення моделей електронних компонентів, підсистем та систем. Зокрема розроблено модель для НВЧ польового транзистора з бар’єром Шоткі, характеристики якого відрізняються нелінійністю. Проаналізовано S параметри транзистора, отримані експериментально та в результаті моделювання.
The advantages of neural network approach using for creating of electronic component, subsystem and system models, are described in article. In particular, the model of microwave frequency unipolar transistor with Schottky junction, it has nonlinear behavior. S parameters experimentally obtained and as result of simulation are analyzed.
URI: http://elar.khnu.km.ua/jspui/handle/123456789/255
UDC: 621.317.1
metadata.dc.type: Стаття
Appears in Collections:Вісник ХНУ. Технічні науки - 2012 рік

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
6.16.pdf326,32 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.