Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.khnu.km.ua/jspui/handle/123456789/3801

Можете відсканувати цей QR-код телефоном( програмою "Сканер QR-кодів" ) для збереження.

Title: Апроксимація залежності вольт-амперної характеристики діода Шоткі від температури
Other Titles: Approximation of the dependence of the Schottky diode iv curves vs temperature
Authors: Каштальян, А.С.
Kashtalian, A.S.
Keywords: діод;температура;напруга;струм;апроксимація;diode;temperature;voltage;current;approximation
Issue Date: 2014
Publisher: Хмельницький національний університет
Citation: Каштальян, А. С. Апроксимація залежності вольт-амперної характеристики діода Шоткі від температури [Текст] / А. С. Каштальян // Вісник Хмельницького національного університету. Технічні науки. – 2014. – № 5. – С. 209-216.
Abstract: Стаття присвячена дослідженню впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Розглянуто та проаналізовано дані двофакторного експерименту, що описують залежність вихідного струму від вхідної напруги та температури. Розглянуто методику отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури. Для окремого діода Шоткі виконано апроксимацію сімейства прямих та зворотних вольтамперних характеристик. Прямі характеристики апроксимовані поліномом шостого порядку із коефіцієнтами у вигляді поліномів третього порядку. Для знаходження параметрів поліноміальної регресії було використано алгоритм ЛевенбергаМарквардта. Сімейство зворотних апроксимоване кусковолінійною функцією з коефіцієнтами у вигляді поліномів шостого порядку. Отримані похибки апроксимації підтверджують ефективність методики.
Schottky diodes find the place in measuring equipment as detectors and measuring converters of ultrahigh frequency electromagnetic fields among other applications. Temperature has essential influence on Schottky diode’s parameters therefore dependence of the diode’s IV characteristics on temperature should be considered in devices developing and functioning. The data analysis of twofactorial experiments of ultrahigh frequency low power diode is implemented. Approximation of forward and reverse IV curves sets are accomplished for Schottky separate diode taking into account temperature. Forward characteristics are approximated by a polynomial of the sixth order with coefficients in the form of polynomials of the third order. LevenbergMarquardt algorithm was applied to finding of polynomial regression parameters. Reverse characteristics set is approximated by piecewise linear function with coefficients in the form of sixth order polynomials. Thus the technique of obtaining of analytical dependences of output current vs. input voltage and temperature is received. These relations allow to consider temperature factor already at a development stage and also to correct an additional temperature error in the process of device functioning.
URI: http://elar.khnu.km.ua/jspui/handle/123456789/3801
ISSN: 2307-5732
UDC: 621.382.2
Content type: Стаття
Appears in Collections:Вісник ХНУ. Технічні науки - 2014 рік

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Vchnu_tekh_2014_5_42.pdf868,67 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.