Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.khnu.km.ua/jspui/handle/123456789/1707

Можете відсканувати цей QR-код телефоном( програмою "Сканер QR-кодів" ) для збереження.

Title: Визначення метрологічних характеристик вимірювальних каналів з діодними перетворювачами
Other Titles: The determination of metrological characteristics of measure chanals with diode sensors
Authors: Каштальян, А.С.
Kashtalian, A.S.
Keywords: діодний сенсор;чутливість за напругою;дестабілізуючі фактори;функція вимірювального перетворення;diode sensor;voltage sensitivity;destabilizing factors;measuring conversion function
Issue Date: 2013
Publisher: Хмельницький національний університет
Citation: Каштальян, А. С. Визначення метрологічних характеристик вимірювальних каналів з діодними перетворювачами [Текст] / А. С. Каштальян // Вісник Хмельницького національного університету. Технічні науки. – 2013. – № 6. – С. 160-165.
Abstract: Проведено дослідження метрологічних характеристик діодних сенсорів НВЧ електромагнітного поля. Зокрема, розглянуто залежності чутливості за напругою діодних сенсорів в динамічному діапазоні. А також досліджено вплив дестабілізуючих факторів на точність вимірювань.
The investigation of metrological characteristics of microwave electromagnetic field diode sensors is conducted in article. Metrological characteristics of measuring converter and measuring channel are primary component of initial information for estimation of informationmeasuring systems metrological characteristics, as a part of these systems. Such descriptions of measuring diode sensors as measure error, conversion function of measuring channel with diode sensor, destabilizing factors influence function are examined for metrological reliability evaluation. Measuring conversion function is researched in dynamic range to 10mW, the dependence of output voltage from input power and the dependence of voltage sensitivity from input power are received. The influence of destabilizing factors is explored: for observable microwave electromagnetic field in range from 0,3GHz to 3GHz; for surrounding environment temperature in range from 0ºC to 50º: for semiconductor junction serial resistance in corresponding to diode models ranges. Derived relations permit to compare common diode detectors, which are used only for electromagnetic field detection, and improved diode sensors with error correction, which are applicable for measuring of microwave electromagnetic field intensity. The parametric feedback method, the structural balancing method, the weak feedback method are used for accuracy increase in improved diode sensors.
URI: http://elar.khnu.km.ua/jspui/handle/123456789/1707
Content type: Стаття
Appears in Collections:Вісник ХНУ. Технічні науки - 2013 рік

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Vchnu_tekh_2013_6_33.pdf512,41 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.